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Si6966DQ
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
20
R DS(on) ( Ω )
0.030 at V GS = 4.5 V
0.040 at V GS = 2.5 V
I D (A)
4.5
3.9
? Halogen-free Option Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 2.5 V Rated
P b -free
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
TSSOP-8
D 1
D 2
D 1
S 1
1
2
Si6966DQ
8 D 2
7 S 2
G 1
G 2
S 1
G 1
3
4
Top View
6 S 2
5 G 2
S 1
S 2
Ordering Information: Si6966DQ-T1
Si6966DQ-T1 -GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
Steady State
20
± 12
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
4.5
3.6
30
4.0
3.0
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
1.25
0.75
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.14
0.73
- 55 to 150
0.83
0.53
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
86
124
52
110
150
65
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 71808
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
www.vishay.com
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